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太陽(yáng)光電模塊/晶硅/非晶硅/薄膜/聚光型/溫度循環(huán)濕冷凍濕熱測(cè)試箱

太陽(yáng)光電模塊/晶硅/非晶硅/薄膜/聚光型/溫度循環(huán)濕冷凍濕熱測(cè)試箱針對(duì)薄膜太陽(yáng)能組件的另一測(cè)試-光浸潤(rùn)測(cè)試,目的在使薄膜組件之電氣特性趨於穩(wěn)定。國(guó)際電工委員會(huì)規(guī)范IEC61646中即指出,每塊模組需經(jīng)過(guò)光浸潤(rùn)測(cè)試達(dá)43千瓦小時(shí)

產(chǎn)品型號(hào):SOLAR
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    高效全機(jī)循環(huán)溫控系統(tǒng) 并符合規(guī)范CCC光源等級(jí)要求

    針對(duì)薄膜太陽(yáng)能組件的另一測(cè)試-光浸潤(rùn)測(cè)試,目的在使薄膜組件之電氣特性趨於穩(wěn)定。國(guó)際電工委員會(huì)規(guī)范IEC61646中即指出,每塊模組需經(jīng)過(guò)光浸潤(rùn)測(cè)試達(dá)43千瓦小時(shí),
    并且模組溫度須控制在50℃±10℃之內(nèi)。而IEC 60904-9規(guī)范則指出光源等級(jí)須達(dá)到CCC等級(jí)。

    高相關(guān)規(guī)范資料介紹:
     

    硅晶太陽(yáng)能:IEC61215、UL1703 GB9535
    薄膜太陽(yáng)能:
    IEC61646、GB18911
    聚光太陽(yáng)能:
    IEC62108 IEEE1513
    ※相關(guān)試驗(yàn)后皆須進(jìn)行規(guī)范所要求的檢查項(xiàng)目(外觀、絕緣電阻、最大輸出功率)

    Thermal cycle test(溫度循環(huán)測(cè)試)
    目的:確定組件于溫度重復(fù)變化時(shí),引起的疲勞和其它應(yīng)力的熱失效。

    溫度循環(huán)比較

    低溫

    高溫

    溫變率

    駐留時(shí)間

    循環(huán)數(shù)

    IEC61215

    -40±2℃

    85±2℃

    最大100℃/h

    最少10min

    50、200

    GB9535

    -40±2℃

    85±2℃

    最大100℃/h

    最少10min

    50、200

    IEC61646

    -40±2℃

    85±2℃

    最大100℃/h

    最少10min

    50、200

    GB18911

    -40±2℃

    85±2℃

    最大100℃/h

    最少10min

    50、200

    UL1703

    -40±2℃

    90±2℃

    最大120℃/h

    30~105min

    200

    IEC62108

    -40±2℃

    65℃、85℃、110℃

    10cycle/day

    10min

    500、1000、2000

    IEC62108

    -40℃

    65℃、85℃、110℃

    18cycle/day

    10min

    500、1000、2000

    IEEE1513

    -40℃

    90℃、110℃

    0.9~7.5℃/min

    最少10min

    250、500

    IEEE1513

    -40℃

    90℃、110℃

    最大100℃/h

    最少10min

    100、200

    IEEE1513

    -40℃

    60℃、90℃

    最大100℃/h

    最少10min

    50、200

    Humidity-freeze test(濕冷凍測(cè)試)
    目的:確定組件承受高溫、高濕之后以及隨后的零下溫度影響的能力。

    溫度循環(huán)比較

    高溫高濕

    低溫

    溫變率

    循環(huán)數(shù)

    IEC61215

    85℃/85±5%(20h)

    -40℃(0.5~4h)

    高溫升降溫(100℃/h)
    低溫升降溫(200℃/h)

    10

    GB9535

    85℃/85±5%(20h)

    -40℃(0.5~4h)

    高溫升降溫(100℃/h)
    低溫升降溫(200℃/h)

    10

    IEC61646

    85℃/85±5%(20h)

    -40℃(0.5~4h)

    高溫升降溫(100℃/h)
    低溫升降溫(200℃/h)

    10

    GB18911

    85℃/85±5%(20h)

    -40℃(0.5~4h)

    高溫升降溫(100℃/h)
    低溫升降溫(200℃/h)

    10

    UL1703

    85℃/85±2.5%(20h)

    -40℃(0.5~4h)

    高溫升降溫(120℃/h)
    低溫升降溫(200℃/h)

    10

    IEEE1513

    85℃/85±2.5%(20h)

    -40℃(0.5~4h)

    高溫升降溫(100℃/h)
    低溫升降溫(200℃/h)

    20

    IEC62108

    85℃/85±2.5%(20h)

    -40℃(0.5~4h)

    高溫升降溫(100℃/h)
    低溫升降溫(200℃/h)

    20、40

    Damp Heat(濕熱測(cè)試)
    85 ±2 ℃/85 ±5%/1000h,目的:確定模塊抵抗?jié)駳忾L(zhǎng)期滲透之能力。

    Models SOLAR-408SOLAR-800SOLAR-2380SOLAR-2940
     內(nèi)箱尺寸(W.D.H)cm80x60x85 100x80x100100x140x170100x140x210
     外箱尺寸(W.D.H)cm132x134x172152x154x187172x305x212172x305x252
     溫度范圍 Temperature range-40~100 ℃
     濕度范圍 Humidity range20%~95%
     升溫速率 Heating rate± 0.01
     降溫速率 Cooling rate± 2
     溫度分辨率 Temperature resolution %0.1%
     濕度分辨率 Humidity resolution ℃0.01℃
    ※以上規(guī)格僅供參考,如有變更不另行通知。

    關(guān)鍵字:太陽(yáng)光電模塊/晶硅/非晶硅/薄膜/聚光型/溫度循環(huán)濕冷凍濕熱測(cè)試箱;太陽(yáng)光電模塊/晶硅/非晶硅/薄膜/聚光型/溫度循環(huán)濕冷凍濕熱測(cè)試箱;太陽(yáng)光電模塊/晶硅/非晶硅/薄膜/聚光型/溫度循環(huán)濕冷凍濕熱測(cè)試箱

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