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太陽(yáng)光電模塊/晶硅/非晶硅/薄膜/聚光型/溫度循環(huán)濕冷凍濕熱測(cè)試箱針對(duì)薄膜太陽(yáng)能組件的另一測(cè)試-光浸潤(rùn)測(cè)試,目的在使薄膜組件之電氣特性趨於穩(wěn)定。國(guó)際電工委員會(huì)規(guī)范IEC61646中即指出,每塊模組需經(jīng)過(guò)光浸潤(rùn)測(cè)試達(dá)43千瓦小時(shí)
針對(duì)薄膜太陽(yáng)能組件的另一測(cè)試-光浸潤(rùn)測(cè)試,目的在使薄膜組件之電氣特性趨於穩(wěn)定。國(guó)際電工委員會(huì)規(guī)范IEC61646中即指出,每塊模組需經(jīng)過(guò)光浸潤(rùn)測(cè)試達(dá)43千瓦小時(shí),并且模組溫度須控制在50℃±10℃之內(nèi)。而IEC 60904-9規(guī)范則指出光源等級(jí)須達(dá)到CCC等級(jí)。
硅晶太陽(yáng)能:IEC61215、UL1703 、GB9535薄膜太陽(yáng)能:IEC61646、GB18911聚光太陽(yáng)能:IEC62108 、IEEE1513※相關(guān)試驗(yàn)后皆須進(jìn)行規(guī)范所要求的檢查項(xiàng)目(外觀、絕緣電阻、最大輸出功率)
Thermal cycle test(溫度循環(huán)測(cè)試)目的:確定組件于溫度重復(fù)變化時(shí),引起的疲勞和其它應(yīng)力的熱失效。
溫度循環(huán)比較
低溫
高溫
溫變率
駐留時(shí)間
循環(huán)數(shù)
IEC61215
-40±2℃
85±2℃
最大100℃/h
最少10min
50、200
GB9535
IEC61646
GB18911
UL1703
90±2℃
最大120℃/h
30~105min
200
IEC62108
65℃、85℃、110℃
10cycle/day
10min
500、1000、2000
-40℃
18cycle/day
IEEE1513
90℃、110℃
0.9~7.5℃/min
250、500
100、200
60℃、90℃
Humidity-freeze test(濕冷凍測(cè)試)目的:確定組件承受高溫、高濕之后以及隨后的零下溫度影響的能力。
高溫高濕
85℃/85±5%(20h)
-40℃(0.5~4h)
高溫升降溫(100℃/h)低溫升降溫(200℃/h)
10
85℃/85±2.5%(20h)
高溫升降溫(120℃/h)低溫升降溫(200℃/h)
20
20、40
Damp Heat(濕熱測(cè)試)85 ±2 ℃/85 ±5%/1000h,目的:確定模塊抵抗?jié)駳忾L(zhǎng)期滲透之能力。
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18688888286
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