錫鬚（tin whisker），元器件製造在導(dǎo)入無(wú)鉛化的過(guò)程當(dāng)中，為了維持零組件的可焊性常以鍍純錫來(lái)取代原用的錫鉛，但是經(jīng)過(guò)一段時(shí)間之后，在常溫底下純錫鍍層就會(huì)長(zhǎng)出樹(shù)枝狀的突出物，稱(chēng)之為錫鬚(晶鬚)，錫鬚與大家常說(shuō)的離子遷移是完全不一樣的東西，請(qǐng)大家要注意，如果錫鬚的長(zhǎng)度太長(zhǎng)，會(huì)造成導(dǎo)體或零組件之間的短路，目前已經(jīng)訂定出相關(guān)的錫鬚檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)還有錫鬚的環(huán)境試驗(yàn)測(cè)試方式 可協(xié)助相關(guān)企業(yè)測(cè)試錫鬚的抑制方式，以及避免錫鬚的方法以符合相關(guān)無(wú)鉛製程的重金屬的要求與標(biāo)準(zhǔn)，在高密度構(gòu)裝的電子產(chǎn)品裡面(手機(jī)、PDA、MP3、汽車(chē)電子等)，錫鬚的要求更是刻不容緩，宏展科技希望透過(guò)相關(guān)資料的收集與整理，幫助客戶(hù)盡快導(dǎo)入錫鬚試驗(yàn)，提升與強(qiáng)化企業(yè)本身的競(jìng)爭(zhēng)力。
（一）影響錫鬚成長(zhǎng)的因素包括有13種
1. 晶粒大小
2. 殘存應(yīng)力
3. 外部應(yīng)力
4. 有機(jī)物包括：碳、硫、氧…等
5. 氫，水聚集
6. 熱應(yīng)力
7. 電場(chǎng)和磁場(chǎng)
8. 成核
9. 電鍍液
10. 電鍍條件：電流密度、電鍍脈沖
11. 溫度
12. 濕度
13. 時(shí)間
1.錫鬚容易生長(zhǎng)的原因：
1. 光亮的錫容易有錫鬚生長(zhǎng)
2-1. 純錫表面容易受到自然晶體增長(zhǎng)的攻擊
2-2. 錫純度越高，形成錫鬚的機(jī)會(huì)就越大
3. 化學(xué)應(yīng)力是造成錫鬚自發(fā)性成長(zhǎng)的最重要的驅(qū)動(dòng)力
2.錫鬚定義：
A. 長(zhǎng)>10um
B. 有一致橫切面形狀
C. 有陵有角
D. 長(zhǎng)/寬比>2
E. 有條紋狀
3.錫鬚的長(zhǎng)度計(jì)算方式：
A. JEDEC-22A121量法
B. JEDEC-201&IEC量法
4.錫鬚長(zhǎng)度的限制：
<25um、<30um、<45um、<50um、<60umJESD201對(duì)于錫鬚長(zhǎng)度的要求，依據(jù)試驗(yàn)方法不同，其長(zhǎng)度也有所不同。
（二）錫鬚的抑制或降低方式目前可整理出9種方式
1. 在銅金屬和錫之間加一層阻擋層，如鎳層
2. 銅→鎳→鈀→金（形成阻礙層）
3. 使用鎳鈀金的導(dǎo)線(xiàn)架（lead frame）
4. 鍍霧面錫（5um）
5. 鍍錫（10um）
6-1. 噴霧錫或鍍錫（8~12um）經(jīng)24小時(shí)內(nèi)，淬（退）火（150℃）1~2小時(shí)后（烘處理
Post baking）
6-2. 鍍錫（>7.5um）+后烘處理
7. 調(diào)高鍍錫中銀的含量
8.焊接工藝中引入的溫度應(yīng)力應(yīng)該盡可能低
9. 降低純錫的銅含量或接觸到銅
（三）錫鬚試驗(yàn)方式介紹：
1. 室溫環(huán)境儲(chǔ)存：
1. 辦公室室溫，1000h
2. 20~25℃/30~80%R.H, 1500h、4230h
2.高溫環(huán)境儲(chǔ)存：
1. 55℃/2years、3400h
2. 90℃/400h
3.溫濕度儲(chǔ)存：
1. 50℃/85%R.H, 1500h
2. 51℃/85%R.H, 3000h
3. 55℃/80~95%R.H, 4230h
4. 55℃/85%R.H, 2000h、4000h（1000h檢查一次）
5. 60℃/85%R.H, 4000h
6. 60℃/87%R.H, 3000h
7. 60℃/90±5%R.H, 3000h
8. 60±5℃/93（+2/-3）%R.H, 1000h、4000h
9. 60℃/95%R.H, 1000h、1500h
10. 85℃/85%R.H, 500h±4h
4.溫度沖擊（TST）：
1. -55（+0/-10）℃←→85（+10/-0）℃, 20min/1cycle, 1500cycles（500cycles檢查一次）
2. 85±5℃←→40（+5/-15）℃, 20min/1cycle, 500cycles
3. -35±5℃←→125±5℃, 駐留7min, 500±4cycles
4. -55（+0/-10）℃←→80（+10/-0）℃, 駐留7min, 20min/1cycle, 1000cycles
5.溫度循環(huán)（RAMP）：
1. -40℃（30min）←→85℃（30min）, RAMP: 5℃/min）, 2000cycles
2. -40℃（15min）←→125℃（15min）, RAMP: 11℃/min）, 500cycles
3. -40℃（15min）←→125℃（15min）, RAMP: 15℃/min）, 54290cycles
（四）試驗(yàn)設(shè)備：
A. 恒溫恒濕試驗(yàn)箱
B. 溫度沖擊試驗(yàn)箱
C. 溫度循環(huán)試驗(yàn)箱
